解析2013年LED照明行业八大技术
发布时间:2013-9-22 消息来源:天琢照明
目前OLED已在手机终端等小尺寸显示领域得到应用,在大尺寸电视和照明领域的发展潜力也得到业界的认可。OLED已经被视为21世纪最具前途的显示和照明产品之一。而OLED,正是从2012年正式登上了照明的舞台,虽然目前只是一个小角色,但是对LED有不小的替代威胁。OLED称为有机发光二极管,是基于有机半导体材料的发光二极管。
OLED由于具有全固态、主动发光、高对比、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作温度范围宽、易于实现柔性和大面积、功耗低等诸多优点。
目前OLED已在手机终端等小尺寸显示领域得到应用,在大尺寸电视和照明领域的发展潜力也得到业界的认可。OLED已经被视为21世纪最具前途的显示和照明产品之一。而OLED,正是从2012年正式登上了照明的舞台,虽然目前只是一个小角色,但是对LED有不小的替代威胁。但是,OLED应用于照明领域,光效却是一个不小的考验。在显示领域OLED亮度达到100~300cd/cm2就可以得到应用,然而在照明用途中,亮度至少要达到1000~3000cd/cm2。
未来几年,OLED与LED在照明领域的此消彼长的速率,将取决于OLED光效追赶的进度。
关键字二:PSSPSS(PatternedSapphireSubstrate),也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜,用标准的光刻制程将掩膜刻出图形,利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石,并去掉掩膜,再在其上生长GaN材料,使GaN材料的纵向发展变为横向。一方面可以有效减少GaN外延材料的位元错密度,从而减小有源区的非辐射复合,提升内量子效率,减小反向漏电流,提高LED的寿命;另一方面有源区发出的光,经GaN和蓝宝石衬底接口多次散射,改变了全反射光的出射角,增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率,从而提高了光的提取效率。
因此,PSS一时间成为外延厂商争相采用的提升亮度的主流技术,迅速的普及化,到2013年下半年PSS已经占到了全世界LED用蓝宝石基板的近八成。
关键字三:非蓝宝石衬底除开CREE成功的商业化SiC衬底之外,人们已经习惯了衬底材料就是蓝宝石了。过来到2013年,非蓝宝石衬底方案第一次对蓝宝石衬底的地位发起了有威胁的挑战。
关键字四:共晶技术另一项在2013年炙手可热的封装技术就是共晶。共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象,共晶合金直接从固态变到液态,而不经过塑性阶段,是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。其熔化温度称共晶温度。共晶焊接技术最关键是共晶材料的选择及焊接温度的控制。如采用共晶焊接,晶粒底部可以采用纯锡(Sn)或金锡(Au-Sn)等合金作接触面镀层,晶粒可焊接于镀有金或银的基板上。当基板被加热至适合的共晶温度时,金或银元素渗透到金锡合金层,合金层成份的改变提高溶点,令共晶层固化并将LED紧固的焊于热沉或基板上。
共晶层和热沉或基板完全的键合为一体,打破从芯片到基板的散热系统中的热瓶颈,提升LED寿命。
关键字五:HVLEDHVLED顾名思义就是高压LED,与传统DCLED相比,具有封装成本低、暖白光效高、驱动电源效率高,线路损耗低等优势。
具体来说:1、HVLED直接在芯片级就实现了微晶粒的串并联,使其在低电流高电压下工作,将简化芯片固晶、键合数量,封装成本降低。2、HV芯片在单位面积内形成多颗微晶粒集成,避免了芯片间BIN内如波长、电压、亮度跨度带来的一致性问题;3、HVLED芯片是在小电流下驱动的功率型芯片,可以与红光LED芯片集成+黄色萤光粉形成暖白光,比传统DCLED+红色萤光粉+黄色萤光粉形成的暖白光出光效率高,并缩短了LED暖白与冷白封装光效的差距,且更易实现光源的高显指;4、HVLED由于自身工作电压高,容易实现封装成品工作电压接近市电,提高了驱动电源的转换效率;由于工作电流低,其在成品应用中的线路损耗也将明显低于传统DC功率LED芯片。
关键字六:交流驱动IC首尔半导体的Acrich2系列推出,这个创造性设计搭载的IC即刻成为亮点,业内纷纷追踪这颗IC的型号和厂家。
关键字七:MLCOBMLCOB(Multilenschipsonboard)是在COB的结构的基础上,直接为每一个单独的LED芯片封装一颗透镜,避免了光线的全反射造成的光损失,同时又拥有COB的优势和特点。
关键字八:智能照明智慧照明是指智慧照明控制系统通过无线网络进行通信,来实现对照明设备的智慧化控制。
照明设备经过智慧化控制后,扩展了多种控制方法,如PC电脑、遥控器、PDA、远端电话等同时具有灯光亮度的强弱调节、灯光软启动、定时控制、场景设置等功能;并达到安全、节能、舒适、高效的特点。